传统二极管是一个应用非常广泛的器件。标准硅二极管的正向压降为0.6V到0.7V，肖特基二极管的正向压降为0.3V。对于通常应用来说，压降不是问题，但是在一些低电压或者对功率损耗要求比较高的场景下，系统通常不能接受这么大的压降。而且传统二极管的反向漏电很大，在某些应用中也是不能接受的。因此，诞生了用低导通电阻的MOSFET来模拟二极管单向电流的行为，即理想二极管芯片。爻火也适时推出了全新的理想二极管芯片YHM2031。YHM2031内部集成由VOUT和VIN控制的MOSFET，可以实现双向关断，导通情况下有最大1A的通流能力。

内部框图

低功耗设计

YHM2031充分考虑了低功耗的设计。在正向导通情况下，IN上消耗的静态功耗只有160nA；在反向关断的情况下，IN上仅消耗10nA的功耗。如果输入端接的是电池，这样的设计极大的减小了在不需要它供电的情况下的电池自身耗电。同时，在反向关断的情况下，反向OUT端也仅只有170nA的耗电，这个电流相当于二极管的反向漏电，但是比传统二极管减小了很多。

控制方式

YHM2031采用调制方式控制MOSFET的通断，保证在VIN≤VOUT时，MOSFET是处于关闭状态。同时，YHM2031集成了使能控制，EN管脚可以控制YHM2031的通断。当EN使器件断开后，YHM2031可以阻止双向的电流流动，把IN和OUT端真正隔离开。

性能指标

工作电压范围：1.65V ~ 5.5V

低静态功耗：正向导通：160nA IN静态功耗。

反向导通：10nA IN 静态功耗，170nA OUT静态功耗。

低导通压降：18mV @ 200mA；45mV @ 500mA；90mV @ 1A。

可选的output quick discharge功能。

可选的EN极性控制。

过流保护。

过温保护。

封装：0.67mm×0.75mm WLCSP-4

5-Pin SOT23-5